MMBT1015-L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT1015-L  📄📄 

Маркировка: BA

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 130

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBT1015-L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT1015-L даташит

 ..1. Size:206K  mcc
 mmbt1015-l.pdf pdf_icon

MMBT1015-L

MCC MMBT1015-L Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 MMBT1015-H Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) PNP EPITAXIAL Collector-Emitter Voltage BVCEO=-50V Collector current

 5.1. Size:206K  mcc
 mmbt1015-h.pdf pdf_icon

MMBT1015-L

MCC MMBT1015-L Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 MMBT1015-H Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) PNP EPITAXIAL Collector-Emitter Voltage BVCEO=-50V Collector current

 6.1. Size:199K  utc
 mmbt1015.pdf pdf_icon

MMBT1015-L

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT1015 PNP SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage BVCEO= -50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity * Complement to MMBT1815 ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3 MMBT1015G-x-AC3-R SOT-113 E B C Tape Reel MMBT1015G-x-AE3-R

 7.1. Size:112K  motorola
 mmbt1010 msd1010t1.pdf pdf_icon

MMBT1015-L

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT1010LT1/D MMBT1010LT1 Low Saturation Voltage MSD1010T1 Motorola Preferred Devices PNP Silicon Driver Transistors Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed to conserve energy PNP GENERAL in general purpose driver applicatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBR571L, MMBR901L, MMBR911L, MMBR920L, MMBR931L, MMBR941L, MMBR951L, MMBT1015-H, 2N3055, MMBT1116, MMBT1116A, MMBT1616, MMBT1616A, MMBT1815-H, MMBT1815-L, MMBT2131T1G, MMBT2222A-G