MMBT1116 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT1116  📄📄 

Маркировка: 11G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBT1116

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT1116 даташит

 ..1. Size:231K  utc
mmbt1116.pdfpdf_icon

MMBT1116

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT1116/A PNP SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 3 DESCRIPTION Complement to UTC MMBT1616/A 1 2 SOT-23 (JEDEC TO-236) ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3 MMBT1116G-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape Reel MMBT1116AG-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape Reel Note Pin Assignment E Emitter B Ba

 0.1. Size:231K  utc
mmbt1116a.pdfpdf_icon

MMBT1116

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT1116/A PNP SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 3 DESCRIPTION Complement to UTC MMBT1616/A 1 2 SOT-23 (JEDEC TO-236) ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3 MMBT1116G-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape Reel MMBT1116AG-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape Reel Note Pin Assignment E Emitter B Ba

 9.1. Size:112K  motorola
mmbt1010 msd1010t1.pdfpdf_icon

MMBT1116

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT1010LT1/D MMBT1010LT1 Low Saturation Voltage MSD1010T1 Motorola Preferred Devices PNP Silicon Driver Transistors Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed to conserve energy PNP GENERAL in general purpose driver applicatio

 9.2. Size:185K  fairchild semi
mmbt100.pdfpdf_icon

MMBT1116

PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A NPN General Purpose Amplifier 3 This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 10. 2 SOT-23 TO-92 1 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Mark N1/N1A Mark PN100/PN100A Absolute Maximum Ratings* TC=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

Другие транзисторы: MMBR901L, MMBR911L, MMBR920L, MMBR931L, MMBR941L, MMBR951L, MMBT1015-H, MMBT1015-L, BC548, MMBT1116A, MMBT1616, MMBT1616A, MMBT1815-H, MMBT1815-L, MMBT2131T1G, MMBT2222A-G, MMBT2222AGH