Справочник транзисторов. MMBT2907ALTG

 

Биполярный транзистор MMBT2907ALTG - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MMBT2907ALTG
   Маркировка: 2F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBT2907ALTG

 

 

MMBT2907ALTG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:944K  first silicon
mmbt2907altg.pdf

MMBT2907ALTG
MMBT2907ALTG

MMBT2907ALTGPNP Silicon General Purpose TransistorFeaturesPackage outline Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes aPb-Free Lead Finish3Maximum Ratings1Rating Symbol 2907A Unit2Collector-Emitter Voltage VCEO -60 VdcCollector-Base Voltage VCBO -60 VdcSOT23Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous IC -600 mAdc3COLLECTOR

 3.1. Size:114K  onsemi
mmbt2907alt1-d.pdf

MMBT2907ALTG
MMBT2907ALTG

MMBT2907ALT1GGeneral Purpose TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO -60 VdcCollector-Base Voltage VCBO -60 Vdc2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous IC -600 mAdc

 3.2. Size:122K  onsemi
mmbt2907alt3g.pdf

MMBT2907ALTG
MMBT2907ALTG

MMBT2907AL,SMMBT2907ALGeneral Purpose TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant3 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and1PPAP CapableBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value Unit

 3.3. Size:122K  onsemi
mmbt2907alt1g.pdf

MMBT2907ALTG
MMBT2907ALTG

MMBT2907AL,SMMBT2907ALGeneral Purpose TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant3 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and1PPAP CapableBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value Unit

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BSV55A

 

 
Back to Top