MMBT4401WT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT4401WT1G  📄📄 

Маркировка: 2X

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-323

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для MMBT4401WT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT4401WT1G даташит

 ..1. Size:147K  onsemi
 mmbt4401wt1g.pdf pdf_icon

MMBT4401WT1G

MMBT4401WT1G Switching Transistor NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model; 4 kV, Machine Model; 400 V COLLECTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3 Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO

 3.1. Size:180K  onsemi
 mmbt4401wt1.pdf pdf_icon

MMBT4401WT1G

MMBT4401WT1G Switching Transistor NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model; 4 kV, Machine Model; 400 V COLLECTOR These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3 Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Collector -- Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector -- Base Volta

 3.2. Size:528K  willas
 mmbt4401wt1.pdf pdf_icon

MMBT4401WT1G

FM120-M WILLAS THRU MMBT4401WT1 General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Produ Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to We declare

 5.1. Size:298K  secos
 mmbt4401w.pdf pdf_icon

MMBT4401WT1G

MMBT4401W NPN Silicon Elektronische Bauelemente Switching Transistor RoHS Compliant Product A SOT-323 L COLLECTOR Dim Min Max 3 A 1.800 2.200 S Top View B B 1.150 1.350 3 1 C 0.800 1.000 BASE V G D 0.300 0.400 1 G 1.200 1.400 2 2 C H 0.000 0.100 EMITTER H J 0.100 0.250 J D K K 0.350 0.500 L 0.590 0.720 S 2.000 2.400 MAXIMUM RATINGS V 0.280 0.420 Rating Symbo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT3906WT1G, MMBT4124LT1G, MMBT4126LT1G, MMBT4400, MMBT4401-G, MMBT4401GH, MMBT4401LT1G, MMBT4401M3, 2SA1015, MMBT4403-G, MMBT4403GH, MMBT4403LT1G, MMBT4403M3, MMBT4403WT1G, MMBT489LT1G, MMBT5087LT1G, MMBT5088LT1G