Биполярный транзистор MMBT4401WT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT4401WT1G
Маркировка: 2X
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для MMBT4401WT1G
MMBT4401WT1G Datasheet (PDF)
mmbt4401wt1g.pdf
MMBT4401WT1GSwitching TransistorNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com ESD Rating: Human Body Model; 4 kV,Machine Model; 400 VCOLLECTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS3Compliant1BASEMAXIMUM RATINGS 2EMITTERRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector-Base Voltage VCBO
mmbt4401wt1.pdf
MMBT4401WT1GSwitching TransistorNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com ESD Rating: Human Body Model; 4 kV,Machine Model; 400 VCOLLECTOR These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS3Compliant1BASEMAXIMUM RATINGS 2EMITTERRating Symbol Value UnitCollector -- Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector -- Base Volta
mmbt4401wt1.pdf
FM120-M WILLASTHRUMMBT4401WT1General Purpose Transistors FM1200-M1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProduPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to We declare
mmbt4401w.pdf
MMBT4401WNPN SiliconElektronische BauelementeSwitching TransistorRoHS Compliant ProductASOT-323LCOLLECTOR Dim Min Max3A 1.800 2.200STop ViewBB 1.150 1.35031C 0.800 1.000BASEV GD 0.300 0.4001G 1.200 1.40022CH 0.000 0.100EMITTERH J 0.100 0.250JDKK 0.350 0.500L 0.590 0.720S 2.000 2.400MAXIMUM RATINGSV 0.280 0.420Rating Symbo
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050