Справочник транзисторов. MMBT6428LT1G

 

Биполярный транзистор MMBT6428LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT6428LT1G
   Маркировка: 1KM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBT6428LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6428LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  onsemi
 mmbt6428lt1g mmbt6429lt1g nsvmmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1G,NSVMMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconwww.onsemi.comFeaturesCOLLECTOR3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant2EMITTER3SOT-23 (TO-236)MAXIMUM

 ..2. Size:190K  onsemi
 mmbt6428lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31BASEMAXIMUM RATINGS 2EMITTERRating Symbol 6428LT1 6429LT1 UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 45 VdcCollector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc3SOT-23 (TO-236)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCA

 3.1. Size:194K  onsemi
 mmbt6428lt1 mmbt6429lt1.pdf pdf_icon

MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31BASEMAXIMUM RATINGS 2EMITTERRating Symbol 6428LT1 6429LT1 UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 45 VdcCollector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc3SOT-23 (TO-236)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCA

 3.2. Size:193K  china
 mmbt6428lt1.pdf pdf_icon

MMBT6428LT1G

SEMICONDUCTOR MMBT6428LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 Amplifier Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V Emitter-Base Voltage Vebo 6 V PIN: 1 2 3Collector Current Ic 200 mA STYLE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MMBTA44T | 2SC4215-O | L2SC2412KQLT1G | CHDTC115TEGP | T1657 | TIP507 | TIP33E

 

 
Back to Top

 


 
.