MMBT6428LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT6428LT1G  📄📄 

Маркировка: 1KM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT6428LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6428LT1G даташит

 ..1. Size:82K  onsemi
 mmbt6428lt1g mmbt6429lt1g nsvmmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G, NSVMMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon www.onsemi.com Features COLLECTOR 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 2 EMITTER 3 SOT-23 (TO-236) MAXIMUM

 ..2. Size:190K  onsemi
 mmbt6428lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 50 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc 3 SOT-23 (TO-236) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc CA

 3.1. Size:194K  onsemi
 mmbt6428lt1 mmbt6429lt1.pdf pdf_icon

MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 50 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc 3 SOT-23 (TO-236) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc CA

 3.2. Size:193K  china
 mmbt6428lt1.pdf pdf_icon

MMBT6428LT1G

SEMICONDUCTOR MMBT6428LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package SOT-23 Amplifier Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Vcbo 60 V Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V Emitter-Base Voltage Vebo 6 V PIN 1 2 3 Collector Current Ic 200 mA STYLE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5550LT1G, MMBT5551GH, MMBT5551LT1G, MMBT5551M3, MMBT589LT1G, MMBT5962, MMBT6427LT1G, MMBT6428LT1, 2N2222, MMBT6429LT1G, MMBT6515, MMBT6517LT1G, MMBT6520LT1G, MMBT6521LT1G, MMBT720, MMBT8050, MMBT8050D