Справочник транзисторов. MMBT8050D

 

Биполярный транзистор MMBT8050D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT8050D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBT8050D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT8050D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  semtech
mmbt8050c mmbt8050d.pdfpdf_icon

MMBT8050D

 ..2. Size:351K  bytesonic
mmbt8050d.pdfpdf_icon

MMBT8050D

MMBT8050DoTRANSISTOR (NPN)FEATURES SOT-23 Complimentary to S8550 Collector Current: IC=0.5A 1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector Dissipat

 ..3. Size:488K  agertech
mmbt8050c mmbt8050d.pdfpdf_icon

MMBT8050D

MMBT8050C/D(1.5A)Features For switching and amplifier applications Especially suitable for AF-Driver stages and lowpower output stagesAbsolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 1.5 APower Dissipation PD 350 mW

 0.1. Size:373K  semtech
mmbt8050cw mmbt8050dw.pdfpdf_icon

MMBT8050D

MMBT8050W (1.5A) NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VPeak Collector Current ICM 1.5 A Total Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C OStorage Te

Другие транзисторы... MMBT6428LT1G , MMBT6429LT1G , MMBT6515 , MMBT6517LT1G , MMBT6520LT1G , MMBT6521LT1G , MMBT720 , MMBT8050 , 13007 , MMBT8050LT1 , MMBT8099LT1G , MMBT8550 , MMBT8550LT1 , MMBT9012LT1 , MMBT9013LT1 , MMBT9014LT1 , MMBT9015LT1 .

History: 2N3636UB | 2SD363 | MMBTA45

 

 
Back to Top

 


 
.