MMBT8050D - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MMBT8050D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBT8050D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBT8050D

 

MMBT8050D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  semtech
mmbt8050c mmbt8050d.pdfpdf_icon

MMBT8050D

 ..2. Size:351K  bytesonic
mmbt8050d.pdfpdf_icon

MMBT8050D

MMBT8050D o TRANSISTOR (NPN) FEATURES SOT-23 Complimentary to S8550 Collector Current IC=0.5A 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector Dissipat

 ..3. Size:488K  agertech
mmbt8050c mmbt8050d.pdfpdf_icon

MMBT8050D

MMBT8050C/D(1.5A) Features For switching and amplifier applications Especially suitable for AF-Driver stages and low power output stages Absolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1.5 A Power Dissipation PD 350 mW

 0.1. Size:373K  semtech
mmbt8050cw mmbt8050dw.pdfpdf_icon

MMBT8050D

MMBT8050W (1.5A) NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Peak Collector Current ICM 1.5 A Total Power Dissipation Ptot 200 mW O Junction Temperature Tj 150 C O Storage Te

Другие транзисторы... MMBT6428LT1G , MMBT6429LT1G , MMBT6515 , MMBT6517LT1G , MMBT6520LT1G , MMBT6521LT1G , MMBT720 , MMBT8050 , C5198 , MMBT8050LT1 , MMBT8099LT1G , MMBT8550 , MMBT8550LT1 , MMBT9012LT1 , MMBT9013LT1 , MMBT9014LT1 , MMBT9015LT1 .

 

 
Back to Top

 


 
.