Биполярный транзистор MMBT8050D Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MMBT8050D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-23
Аналог (замена) для MMBT8050D
MMBT8050D Datasheet (PDF)
mmbt8050d.pdf

MMBT8050DoTRANSISTOR (NPN)FEATURES SOT-23 Complimentary to S8550 Collector Current: IC=0.5A 1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector Dissipat
mmbt8050c mmbt8050d.pdf

MMBT8050C/D(1.5A)Features For switching and amplifier applications Especially suitable for AF-Driver stages and lowpower output stagesAbsolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 1.5 APower Dissipation PD 350 mW
mmbt8050cw mmbt8050dw.pdf

MMBT8050W (1.5A) NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VPeak Collector Current ICM 1.5 A Total Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C OStorage Te
Другие транзисторы... MMBT6428LT1G , MMBT6429LT1G , MMBT6515 , MMBT6517LT1G , MMBT6520LT1G , MMBT6521LT1G , MMBT720 , MMBT8050 , 13007 , MMBT8050LT1 , MMBT8099LT1G , MMBT8550 , MMBT8550LT1 , MMBT9012LT1 , MMBT9013LT1 , MMBT9014LT1 , MMBT9015LT1 .
History: 2N3636UB | 2SD363 | MMBTA45
History: 2N3636UB | 2SD363 | MMBTA45



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882