MMBT9012LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT9012LT1  📄📄 

Маркировка: J6

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 64

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT9012LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT9012LT1 даташит

 ..1. Size:135K  wej
 mmbt9012lt1.pdf pdf_icon

MMBT9012LT1

RoHS MMBT9012LT1 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-23 3 1W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE 1 RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION 2 1. 1.BASE Complement to 9013G 2.EMITTER Collector Current Ic=-500mA 2.4 3.COLLECTOR 1.3 High Total Power Dissipation Pc=225mW Unit mm o ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Symbol Rating Unit Characteristic Collector-Base Voltage VCBO

 6.1. Size:98K  utc
 mmbt9012.pdf pdf_icon

MMBT9012LT1

UTC MMBT9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION FEATURES 2 *High total power dissipation. (625mW) 1 *High collector current. (-500mA) *Excellent hFE linearity *Complementary to UTC MMBT9013 3 MARKING 12 SOT-23 1 EMITTER 2 BASE 3 COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C, unless otherwise specifie

 6.2. Size:175K  utc
 mmbt9012g-d mmbt9012g-e mmbt9012g-f mmbt9012g-g mmbt9012g-h mmbt9012g-i.pdf pdf_icon

MMBT9012LT1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT9012 PNP SILICON TRANSISTOR 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION 3 FEATURES 1 2 *High total power dissipation. (625mW) SOT-23 *High collector current. (-500mA) (JEDEC TO-236) *Excellent hFE linearity *Complementary to UTC MMBT9013 ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package P

 6.3. Size:173K  semtech
 mmbt9012g mmbt9012h.pdf pdf_icon

MMBT9012LT1

MMBT9012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mW O Junction Temperature Tj 150 C O

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT6521LT1G, MMBT720, MMBT8050, MMBT8050D, MMBT8050LT1, MMBT8099LT1G, MMBT8550, MMBT8550LT1, A1015, MMBT9013LT1, MMBT9014LT1, MMBT9015LT1, MMBT9018LT1, MMBT918LT1G, MMBT945-H, MMBT945-L, MMBTA05LT1G