MMBTA05LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBTA05LT1G  📄📄 

Маркировка: 1H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBTA05LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA05LT1G даташит

 ..1. Size:114K  onsemi
 mmbta05lt1g.pdf pdf_icon

MMBTA05LT1G

MMBTA05L, MMBTA06L, SMMBTA06L Driver Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique COLLECTOR Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 3 PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3

 0.1. Size:72K  onsemi
 nsvmmbta05lt1g.pdf pdf_icon

MMBTA05LT1G

MMBTA05L, MMBTA06L Driver Transistors NPN Silicon Features S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring http //onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collec

 4.1. Size:103K  onsemi
 mmbta05lt1 mmbta06lt1.pdf pdf_icon

MMBTA05LT1G

MMBTA05LT1G, MMBTA06LT1G Driver Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO Vdc EMITTER MMBTA05LT1 60 MMBTA06LT1 80 3 Collector-Base Voltage VCBO Vdc MMBTA05LT1 60 1 MMBTA06LT1 80 2 Emitter-Base Vo

 6.1. Size:82K  motorola
 mmbta05l mmbta06.pdf pdf_icon

MMBTA05LT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA05LT1/D MMBTA05LT1 Driver Transistors MMBTA06LT1* NPN Silicon COLLECTOR *Motorola Preferred Device 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol MMBTA05 MMBTA06 Unit Collector Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 60 80 Vdc Emit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT9012LT1, MMBT9013LT1, MMBT9014LT1, MMBT9015LT1, MMBT9018LT1, MMBT918LT1G, MMBT945-H, MMBT945-L, 2N3906, MMBTA05W, MMBTA06LT1G, MMBTA06W, MMBTA06WT1G, MMBTA10, MMBTA10Q, MMBTA11, MMBTA13LT1G