MMBTA06LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBTA06LT1G  📄📄 

Маркировка: 1GM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBTA06LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA06LT1G даташит

 ..1. Size:114K  onsemi
mmbta06lt1g.pdfpdf_icon

MMBTA06LT1G

MMBTA05L, MMBTA06L, SMMBTA06L Driver Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique COLLECTOR Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 3 PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3

 ..2. Size:106K  first silicon
mmbta06lt1g.pdfpdf_icon

MMBTA06LT1G

SEMICONDUCTOR MMBTA05/06 TECHNICAL DATA Driver Transistors FEATURES We declare that the material of product 3 compliance with RoHS requirements. 2 MAXIMUM RATINGS 1 Value Rating Symbol MMBTA05 MMBTA06 Unit SOT 23 Collector Emitter Voltage V 60 80 Vdc CEO Collector Base Voltage V 60 80 Vdc CBO Emitter Base Voltage V 4.0 Vdc EBO Collector Current Continuous I

 4.1. Size:103K  onsemi
mmbta05lt1 mmbta06lt1.pdfpdf_icon

MMBTA06LT1G

MMBTA05LT1G, MMBTA06LT1G Driver Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO Vdc EMITTER MMBTA05LT1 60 MMBTA06LT1 80 3 Collector-Base Voltage VCBO Vdc MMBTA05LT1 60 1 MMBTA06LT1 80 2 Emitter-Base Vo

 5.1. Size:114K  onsemi
mmbta06lt3g.pdfpdf_icon

MMBTA06LT1G

MMBTA05L, MMBTA06L, SMMBTA06L Driver Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique COLLECTOR Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 3 PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3

Другие транзисторы: MMBT9014LT1, MMBT9015LT1, MMBT9018LT1, MMBT918LT1G, MMBT945-H, MMBT945-L, MMBTA05LT1G, MMBTA05W, TIP31C, MMBTA06W, MMBTA06WT1G, MMBTA10, MMBTA10Q, MMBTA11, MMBTA13LT1G, MMBTA14LT1G, MMBTA42-G