Биполярный транзистор MMSS8050W-H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMSS8050W-H
Маркировка: Y1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для MMSS8050W-H
MMSS8050W-H Datasheet (PDF)
mmss8050w-h-j-l.pdf
MMSS8050W-LMCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components MMSS8050W-HCA 91311Phone: (818) 701-4933MMSS8050W-JFax: (818) 701-4939Features SOT-323 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.2 Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 4
mmss8050-h.pdf
MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operat
mmss8050-l mmss8050-h.pdf
MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operatin
mmss8050-l.pdf
MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operat
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050