PBHV8118T - описание и поиск аналогов

 

PBHV8118T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBHV8118T

Маркировка: LZ*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для PBHV8118T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV8118T даташит

 ..1. Size:164K  philips
pbhv8118t.pdfpdf_icon

PBHV8118T

PBHV8118T 180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 7 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEs

 ..2. Size:164K  nxp
pbhv8118t.pdfpdf_icon

PBHV8118T

PBHV8118T 180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 7 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEs

 7.1. Size:126K  philips
pbhv8115z.pdfpdf_icon

PBHV8118T

PBHV8115Z 150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 9 December 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9115Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter

 7.2. Size:412K  nxp
pbhv8115tlh.pdfpdf_icon

PBHV8118T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие транзисторы: MMT8050, MMT8550, MX0912B100Y, P2N2222AG, DTC114WM, PBHV2160Z, PBHV3160Z, PBHV8115X, D882P, PBHV8540X, PBHV8560Z, PBHV9040X, PBHV9050Z, PBHV9115X, PBHV9414Z, PBHV9560Z, PUML1_DG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.