PBHV8118T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PBHV8118T
Маркировка: LZ*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для PBHV8118T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBHV8118T даташит
pbhv8118t.pdf
PBHV8118T 180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 7 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEs
pbhv8118t.pdf
PBHV8118T 180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 7 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEs
pbhv8115z.pdf
PBHV8115Z 150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 9 December 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9115Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter
pbhv8115tlh.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
Другие транзисторы: MMT8050, MMT8550, MX0912B100Y, P2N2222AG, DTC114WM, PBHV2160Z, PBHV3160Z, PBHV8115X, D882P, PBHV8540X, PBHV8560Z, PBHV9040X, PBHV9050Z, PBHV9115X, PBHV9414Z, PBHV9560Z, PUML1_DG
History: 2SC2873O-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet







