PBHV8540X. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PBHV8540X
Маркировка: *4D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.52 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: SOT-89
Аналоги (замена) для PBHV8540X
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBHV8540X даташит
pbhv8540x.pdf
PBHV8540X 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 5 December 2013 Product data sheet 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9040X. 2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter
pbhv8540t.pdf
PBHV8540T 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 14 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9040T. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter sa
pbhv8540z.pdf
PBHV8540Z 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 7 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9040Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emitt
pbhv8540t.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
Другие транзисторы: MMT8550, MX0912B100Y, P2N2222AG, DTC114WM, PBHV2160Z, PBHV3160Z, PBHV8115X, PBHV8118T, BD136, PBHV8560Z, PBHV9040X, PBHV9050Z, PBHV9115X, PBHV9414Z, PBHV9560Z, PUML1_DG, PUMX2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194




