PBHV9050Z - описание и поиск аналогов

 

PBHV9050Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBHV9050Z

Маркировка: V9050Z

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для PBHV9050Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV9050Z даташит

 ..1. Size:333K  philips
pbhv9050z.pdfpdf_icon

PBHV9050Z

PBHV9050Z 500 V, 250 mA PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 1 19 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation v

 ..2. Size:333K  nxp
pbhv9050z.pdfpdf_icon

PBHV9050Z

PBHV9050Z 500 V, 250 mA PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 1 19 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation v

 6.1. Size:90K  philips
pbhv9050t.pdfpdf_icon

PBHV9050Z

PBHV9050T 500 V, 150 mA PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 16 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PMBTA45. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter s

 6.2. Size:207K  nxp
pbhv9050t.pdfpdf_icon

PBHV9050Z

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие транзисторы: DTC114WM, PBHV2160Z, PBHV3160Z, PBHV8115X, PBHV8118T, PBHV8540X, PBHV8560Z, PBHV9040X, A42, PBHV9115X, PBHV9414Z, PBHV9560Z, PUML1_DG, PUMX2, PUMZ2, PVR100AD-B12V, PVR100AD-B2V5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.