CHDTB122JKGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTB122JKGP  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 47

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTB122JKGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTB122JKGP даташит

 ..1. Size:58K  chenmko
chdtb122jkgp.pdfpdf_icon

CHDTB122JKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB122JKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 7.1. Size:104K  chenmko
chdtb123ekgp.pdfpdf_icon

CHDTB122JKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB123EKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 7.2. Size:140K  chenmko
chdtb123ykgp.pdfpdf_icon

CHDTB122JKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB123YKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 7.3. Size:113K  chenmko
chdtb123tkgp.pdfpdf_icon

CHDTB122JKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB123TKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

Другие транзисторы: CHDTA144VKGP, CHDTA144WEGP, CHDTA144WKGP, CHDTA144WUGP, CHDTB113EKGP, CHDTB113ZKGP, CHDTB114EKGP, CHDTB114TKGP, 13003, CHDTB123EKGP, CHDTB123TKGP, CHDTB123YKGP, CHDTB143EKGP, CHDTB143TKGP, CHDTC113ZUGP, CHDTC114EEGP, CHDTC114EKGP