Справочник транзисторов. CHDTB123TKGP

 

Биполярный транзистор CHDTB123TKGP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CHDTB123TKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTB123TKGP

 

 

CHDTB123TKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  chenmko
chdtb123tkgp.pdf

CHDTB123TKGP
CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTB123TKGPSURFACE MOUNT PNP Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

 6.1. Size:104K  chenmko
chdtb123ekgp.pdf

CHDTB123TKGP
CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTB123EKGPSURFACE MOUNT PNP Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

 6.2. Size:140K  chenmko
chdtb123ykgp.pdf

CHDTB123TKGP
CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTB123YKGPSURFACE MOUNT PNP Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

 7.1. Size:58K  chenmko
chdtb122jkgp.pdf

CHDTB123TKGP
CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTB122JKGPSURFACE MOUNT PNP Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top