Справочник транзисторов. CHDTB123TKGP

 

Биполярный транзистор CHDTB123TKGP Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CHDTB123TKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CHDTB123TKGP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTB123TKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  chenmko
chdtb123tkgp.pdfpdf_icon

CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTB123TKGPSURFACE MOUNT PNP Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

 6.1. Size:104K  chenmko
chdtb123ekgp.pdfpdf_icon

CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTB123EKGPSURFACE MOUNT PNP Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

 6.2. Size:140K  chenmko
chdtb123ykgp.pdfpdf_icon

CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTB123YKGPSURFACE MOUNT PNP Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

 7.1. Size:58K  chenmko
chdtb122jkgp.pdfpdf_icon

CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTB122JKGPSURFACE MOUNT PNP Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

Другие транзисторы... CHDTA144WKGP , CHDTA144WUGP , CHDTB113EKGP , CHDTB113ZKGP , CHDTB114EKGP , CHDTB114TKGP , CHDTB122JKGP , CHDTB123EKGP , S9014 , CHDTB123YKGP , CHDTB143EKGP , CHDTB143TKGP , CHDTC113ZUGP , CHDTC114EEGP , CHDTC114EKGP , CHDTC114EUGP , CHDTC114GKGP .

History: 2SC1802 | NB021FL | SS8550T | KSB1149Y | BUT56A | 3DD4130PL

 

 
Back to Top

 


 
.