CHDTB123TKGP - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CHDTB123TKGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CHDTB123TKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTB123TKGP

 

CHDTB123TKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  chenmko
 chdtb123tkgp.pdf pdf_icon

CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB123TKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 6.1. Size:104K  chenmko
 chdtb123ekgp.pdf pdf_icon

CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB123EKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 6.2. Size:140K  chenmko
 chdtb123ykgp.pdf pdf_icon

CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB123YKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 7.1. Size:58K  chenmko
 chdtb122jkgp.pdf pdf_icon

CHDTB123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB122JKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... CHDTA144WKGP , CHDTA144WUGP , CHDTB113EKGP , CHDTB113ZKGP , CHDTB114EKGP , CHDTB114TKGP , CHDTB122JKGP , CHDTB123EKGP , 2SC2073 , CHDTB123YKGP , CHDTB143EKGP , CHDTB143TKGP , CHDTC113ZUGP , CHDTC114EEGP , CHDTC114EKGP , CHDTC114EUGP , CHDTC114GKGP .

History: NB212XH | BDX27-16 | 2SC4563 | NB212ZJ | PXTA14 | CHIMH2GP | 2SB789A

 

 
Back to Top

 


 
.