CHDTC114EEGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTC114EEGP  📄📄 

Маркировка: EEB

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для CHDTC114EEGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTC114EEGP даташит

 ..1. Size:95K  chenmko
chdtc114eegp.pdfpdf_icon

CHDTC114EEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC114EEGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) SC-75/SOT-416 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation cu

 5.1. Size:62K  chenmko
chdtc114ekpt.pdfpdf_icon

CHDTC114EEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC114EKPT SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-59/SOT-346) SC-59/SOT-346 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation cu

 5.2. Size:70K  chenmko
chdtc114ekgp.pdfpdf_icon

CHDTC114EEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC114EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (/SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 5.3. Size:102K  chenmko
chdtc114eugp.pdfpdf_icon

CHDTC114EEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC114EUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation cu

Другие транзисторы: CHDTB114TKGP, CHDTB122JKGP, CHDTB123EKGP, CHDTB123TKGP, CHDTB123YKGP, CHDTB143EKGP, CHDTB143TKGP, CHDTC113ZUGP, 2SC4793, CHDTC114EKGP, CHDTC114EUGP, CHDTC114GKGP, CHDTC114GUGP, CHDTC114TEGP, CHDTC114TKGP, CHDTC114TUGP, CHDTC114WEGP