CHDTC115TEGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTC115TEGP

Маркировка: TEE

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для CHDTC115TEGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTC115TEGP даташит

 ..1. Size:51K  chenmko
 chdtc115tegp.pdf pdf_icon

CHDTC115TEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC115TEGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) SC-75/SOT-416 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation c

 5.1. Size:71K  chenmko
 chdtc115tugp.pdf pdf_icon

CHDTC115TEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC115TUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE SC-70/SOT-323 * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 5.2. Size:48K  chenmko
 chdtc115tkgp.pdf pdf_icon

CHDTC115TEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC115TKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 6.1. Size:103K  chenmko
 chdtc115eugp.pdf pdf_icon

CHDTC115TEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC115EUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 20 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHDTC114YEGP, CHDTC114YKGP, CHDTC114YUGP, CHDTC115EEGP, CHDTC115EKGP, CHDTC115EUGP, CHDTC115GKGP, CHDTC115GUGP, 9014, CHDTC115TKGP, CHDTC115TUGP, CHDTC123EEGP, CHDTC123EKGP, CHDTC123EUGP, CHDTC123JEGP, CHDTC123JKGP, CHDTC123JUGP