CHDTC123EEGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTC123EEGP

Маркировка: 8H

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для CHDTC123EEGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTC123EEGP даташит

 ..1. Size:130K  chenmko
 chdtc123eegp.pdf pdf_icon

CHDTC123EEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123EEGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) SC-75/SOT-416 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 5.1. Size:131K  chenmko
 chdtc123eugp.pdf pdf_icon

CHDTC123EEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123EUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 5.2. Size:123K  chenmko
 chdtc123ekgp.pdf pdf_icon

CHDTC123EEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 6.1. Size:109K  chenmko
 chdtc123yegp.pdf pdf_icon

CHDTC123EEGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123YEGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) SC-75/SOT-416 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHDTC115EEGP, CHDTC115EKGP, CHDTC115EUGP, CHDTC115GKGP, CHDTC115GUGP, CHDTC115TEGP, CHDTC115TKGP, CHDTC115TUGP, 2SC945, CHDTC123EKGP, CHDTC123EUGP, CHDTC123JEGP, CHDTC123JKGP, CHDTC123JUGP, CHDTC123TKGP, CHDTC123YEGP, CHDTC123YKGP