CHDTC123EKGP - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CHDTC123EKGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CHDTC123EKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTC123EKGP

 

CHDTC123EKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  chenmko
chdtc123ekgp.pdfpdf_icon

CHDTC123EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 5.1. Size:131K  chenmko
chdtc123eugp.pdfpdf_icon

CHDTC123EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123EUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 5.2. Size:130K  chenmko
chdtc123eegp.pdfpdf_icon

CHDTC123EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123EEGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) SC-75/SOT-416 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 6.1. Size:109K  chenmko
chdtc123yegp.pdfpdf_icon

CHDTC123EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123YEGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) SC-75/SOT-416 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

Другие транзисторы... CHDTC115EKGP , CHDTC115EUGP , CHDTC115GKGP , CHDTC115GUGP , CHDTC115TEGP , CHDTC115TKGP , CHDTC115TUGP , CHDTC123EEGP , A1013 , CHDTC123EUGP , CHDTC123JEGP , CHDTC123JKGP , CHDTC123JUGP , CHDTC123TKGP , CHDTC123YEGP , CHDTC123YKGP , CHDTC123YUGP .

History: AC188-9 | 2SB789A | 2SC4563 | BDX27-16 | PXTA14 | NB212ZJ | CHIMH2GP

 

 
Back to Top

 


 
.