CHDTC123JKGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTC123JKGP

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTC123JKGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTC123JKGP даташит

 ..1. Size:127K  chenmko
 chdtc123jkgp.pdf pdf_icon

CHDTC123JKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123JKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 5.1. Size:150K  chenmko
 chdtc123jegp.pdf pdf_icon

CHDTC123JKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123JEGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) SC-75/SOT-416 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation c

 5.2. Size:134K  chenmko
 chdtc123jugp.pdf pdf_icon

CHDTC123JKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123JUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE SC-70/SOT-323 * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 6.1. Size:131K  chenmko
 chdtc123eugp.pdf pdf_icon

CHDTC123JKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC123EUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHDTC115GUGP, CHDTC115TEGP, CHDTC115TKGP, CHDTC115TUGP, CHDTC123EEGP, CHDTC123EKGP, CHDTC123EUGP, CHDTC123JEGP, 2SC2655, CHDTC123JUGP, CHDTC123TKGP, CHDTC123YEGP, CHDTC123YKGP, CHDTC123YUGP, CHDTC124EEGP, CHDTC124EKGP, CHDTC124EUGP