CHDTD113EKGP - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CHDTD113EKGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CHDTD113EKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTD113EKGP

 

CHDTD113EKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  chenmko
chdtd113ekgp.pdfpdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 6.1. Size:172K  chenmko
chdtd113zugp.pdfpdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113ZUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 6.2. Size:139K  chenmko
chdtd113zkgp.pdfpdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113ZKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 7.1. Size:58K  chenmko
chdtd114gkgp.pdfpdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD114GKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

Другие транзисторы... CHEMA6GP , CHEMA7GP , CHEMA8GP , CHDTC623TUGP , CHDTC643TKGP , CHDTC643TUGP , CHDTC663EKGP , CHDTC663EUGP , 2SD1047 , CHDTD113ZKGP , CHDTD113ZUGP , CHDTD114EKGP , CHDTD114GKGP , CHDTD122JKGP , CHDTD123EKGP , CHDTD123TKGP , CHDTD123YKGP .

History: NB123FH | NB113FJ | KC818W-16 | 2SD1783 | JF494 | BFV59 | KD503

 

 
Back to Top

 


 
.