CHDTD113EKGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTD113EKGP  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTD113EKGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTD113EKGP даташит

 ..1. Size:113K  chenmko
 chdtd113ekgp.pdf pdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 6.1. Size:172K  chenmko
 chdtd113zugp.pdf pdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113ZUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 6.2. Size:139K  chenmko
 chdtd113zkgp.pdf pdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113ZKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 7.1. Size:58K  chenmko
 chdtd114gkgp.pdf pdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD114GKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHEMA6GP, CHEMA7GP, CHEMA8GP, CHDTC623TUGP, CHDTC643TKGP, CHDTC643TUGP, CHDTC663EKGP, CHDTC663EUGP, 2SD1047, CHDTD113ZKGP, CHDTD113ZUGP, CHDTD114EKGP, CHDTD114GKGP, CHDTD122JKGP, CHDTD123EKGP, CHDTD123TKGP, CHDTD123YKGP