Справочник транзисторов. CHDTD113EKGP

 

Биполярный транзистор CHDTD113EKGP Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CHDTD113EKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CHDTD113EKGP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTD113EKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  chenmko
chdtd113ekgp.pdfpdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD113EKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 6.1. Size:172K  chenmko
chdtd113zugp.pdfpdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD113ZUGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)SC-70/SOT-323* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation

 6.2. Size:139K  chenmko
chdtd113zkgp.pdfpdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD113ZKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 7.1. Size:58K  chenmko
chdtd114gkgp.pdfpdf_icon

CHDTD113EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD114GKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MMBT8050C | L2SC4083QWT1G | TA1697 | MMBTH10A | TIP36F | KZT4403

 

 
Back to Top

 


 
.