Справочник транзисторов. CHDTD113EKGP

 

Биполярный транзистор CHDTD113EKGP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CHDTD113EKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTD113EKGP

 

 

CHDTD113EKGP Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .