CHDTD114GKGP - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CHDTD114GKGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CHDTD114GKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTD114GKGP

 

CHDTD114GKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  chenmko
chdtd114gkgp.pdfpdf_icon

CHDTD114GKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD114GKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 6.1. Size:99K  chenmko
chdtd114ekgp.pdfpdf_icon

CHDTD114GKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD114EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 7.1. Size:172K  chenmko
chdtd113zugp.pdfpdf_icon

CHDTD114GKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113ZUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 7.2. Size:113K  chenmko
chdtd113ekgp.pdfpdf_icon

CHDTD114GKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

Другие транзисторы... CHDTC643TKGP , CHDTC643TUGP , CHDTC663EKGP , CHDTC663EUGP , CHDTD113EKGP , CHDTD113ZKGP , CHDTD113ZUGP , CHDTD114EKGP , A733 , CHDTD122JKGP , CHDTD123EKGP , CHDTD123TKGP , CHDTD123YKGP , CHDTD133HKGP , CHDTD143TKGP , CHEMB10GP , CHEMB11GP .

History: HEPS5024 | DTA023YUB | NSS60600

 

 
Back to Top

 


 
.