Справочник транзисторов. CHDTD123TKGP

 

Биполярный транзистор CHDTD123TKGP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CHDTD123TKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTD123TKGP

 

 

CHDTD123TKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  chenmko
 chdtd123tkgp.pdf

CHDTD123TKGP CHDTD123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123TKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

 6.1. Size:98K  chenmko
 chdtd123ekgp.pdf

CHDTD123TKGP CHDTD123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123EKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 6.2. Size:138K  chenmko
 chdtd123ykgp.pdf

CHDTD123TKGP CHDTD123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123YKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 7.1. Size:62K  chenmko
 chdtd122jkgp.pdf

CHDTD123TKGP CHDTD123TKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD122JKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .