CHDTD133HKGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHDTD133HKGP  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 3.3 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 9.9 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.33

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTD133HKGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTD133HKGP даташит

 ..1. Size:149K  chenmko
chdtd133hkgp.pdfpdf_icon

CHDTD133HKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD133HKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 8.1. Size:98K  chenmko
chdtd123ekgp.pdfpdf_icon

CHDTD133HKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD123EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 8.2. Size:106K  chenmko
chdtd143ekgp.pdfpdf_icon

CHDTD133HKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD123EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 8.3. Size:172K  chenmko
chdtd113zugp.pdfpdf_icon

CHDTD133HKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113ZUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

Другие транзисторы: CHDTD113ZKGP, CHDTD113ZUGP, CHDTD114EKGP, CHDTD114GKGP, CHDTD122JKGP, CHDTD123EKGP, CHDTD123TKGP, CHDTD123YKGP, BD335, CHDTD143TKGP, CHEMB10GP, CHEMB11GP, CHEMB2GP, CHEMB3GP, CHEMB4GP, CHEMB6GP, CHEMB9GP