Справочник транзисторов. CHDTD133HKGP

 

Биполярный транзистор CHDTD133HKGP Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CHDTD133HKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 3.3 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 9.9 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.33
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CHDTD133HKGP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHDTD133HKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  chenmko
chdtd133hkgp.pdfpdf_icon

CHDTD133HKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD133HKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 8.1. Size:98K  chenmko
chdtd123ekgp.pdfpdf_icon

CHDTD133HKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123EKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 8.2. Size:106K  chenmko
chdtd143ekgp.pdfpdf_icon

CHDTD133HKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD123EKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 8.3. Size:172K  chenmko
chdtd113zugp.pdfpdf_icon

CHDTD133HKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD113ZUGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)SC-70/SOT-323* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation

Другие транзисторы... CHDTD113ZKGP , CHDTD113ZUGP , CHDTD114EKGP , CHDTD114GKGP , CHDTD122JKGP , CHDTD123EKGP , CHDTD123TKGP , CHDTD123YKGP , TIP35C , CHDTD143TKGP , CHEMB10GP , CHEMB11GP , CHEMB2GP , CHEMB3GP , CHEMB4GP , CHEMB6GP , CHEMB9GP .

History: BSS25 | MMUN2233

 

 
Back to Top

 


 
.