CHEMG11GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHEMG11GP

Маркировка: GA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-553

 Аналоги (замена) для CHEMG11GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHEMG11GP даташит

 ..1. Size:131K  chenmko
 chemg11gp.pdf pdf_icon

CHEMG11GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG11GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current

 8.1. Size:83K  chenmko
 chemg1gp.pdf pdf_icon

CHEMG11GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG1GP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 30 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current c

 9.1. Size:79K  chenmko
 chemg5gp.pdf pdf_icon

CHEMG11GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG5GP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current c

 9.2. Size:90K  chenmko
 chemg9gp.pdf pdf_icon

CHEMG11GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG9GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHEMD22GP, CHEMD2GP, CHEMD37GP, CHEMD3GP, CHEMD4GP, CHEMD5GP, CHEMD8GP, CHEMD9GP, C3198, CHEMG1GP, CHEMG2GP, CHEMG3GP, CHEMG4GP, CHEMG5GP, CHEMG6GP, CHEMG8GP, CHEMG9GP