CHEMG5GP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CHEMG5GP
Маркировка: G5
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68
Корпус транзистора: SOT-553
Аналоги (замена) для CHEMG5GP
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CHEMG5GP даташит
chemg5gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG5GP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current c
chemg1gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG1GP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 30 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current c
chemg9gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG9GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current
chemg4gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG4GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current
Другие транзисторы: CHEMD5GP, CHEMD8GP, CHEMD9GP, CHEMG11GP, CHEMG1GP, CHEMG2GP, CHEMG3GP, CHEMG4GP, 2SC2655, CHEMG6GP, CHEMG8GP, CHEMG9GP, CHEMH10GP, CHEMH11GP, CHEMH1GP, CHEMH2GP, CHEMH3GP
History: CHEMG6GP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent









