CHEMG9GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHEMG9GP

Маркировка: G9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-553

 Аналоги (замена) для CHEMG9GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHEMG9GP даташит

 ..1. Size:90K  chenmko
 chemg9gp.pdf pdf_icon

CHEMG9GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG9GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current

 9.1. Size:79K  chenmko
 chemg5gp.pdf pdf_icon

CHEMG9GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG5GP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current c

 9.2. Size:83K  chenmko
 chemg1gp.pdf pdf_icon

CHEMG9GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG1GP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 30 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current c

 9.3. Size:156K  chenmko
 chemg4gp.pdf pdf_icon

CHEMG9GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG4GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHEMG11GP, CHEMG1GP, CHEMG2GP, CHEMG3GP, CHEMG4GP, CHEMG5GP, CHEMG6GP, CHEMG8GP, D209L, CHEMH10GP, CHEMH11GP, CHEMH1GP, CHEMH2GP, CHEMH3GP, CHEMH4GP, CHEMH6GP, CHEMH9GP