DDC122TH - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор DDC122TH - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: DDC122TH
   Маркировка: N83
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-563

Аналоги (замена) для DDC122TH

DDC122TH Datasheet (PDF)

..1. Size:213K diodes
ddc122th.pdf

DDC (LO-R1) H NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction SOT-563 A Complementary PNP Types Available (DDA) Dim Min Max Typ Built-In Biasing Resistors A 0.15 0.30 0.25 Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3) "Green" Device (Note 4 and 5) BB 1.10 1.25 1.20 CNXXYMC 1.55 1.70 1.60 Mech

7.1. Size:217K diodes
ddc122tu.pdf

DDC (LO-R1) U NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-363 Complementary PNP Types Available (DDA) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors A 0.10 0.30 Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) B 1.15 1.35 B C "Green" Device (Note 4 and 5) NXX YMC 2.00 2.20 D 0.65 Nominal Mechanical Data

8.1. Size:213K diodes
ddc122lh.pdf