DDTA122TE - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор DDTA122TE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: DDTA122TE
   Маркировка: P83
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-523

Аналоги (замена) для DDTA122TE

DDTA122TE Datasheet (PDF)

..1. Size:220K diodes
ddta122te.pdf

DDTA (LO-R1) EDDTA (LO-R1) E PNP PRE-BIASED 100 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-523 Complementary NPN Types Available Dim Min Max Typ (DDTC) A 0.15 0.30 0.22 Built-In Biasing Resistors TOP VIEW C B 0.75 0.85 0.80B Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) C 1.45 1.75 1.60 "Green" Device (Note 3 and 4) D

6.1. Size:159K diodes
ddta122tu.pdf

DDTA (LO-R1) UDDTA (LO-R1) U PNP PRE-BIASED 100 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-323 Complementary NPN Types Available (DDTC) Dim Min Max 3 OUT Built-In Biasing Resistors A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B 1.15 1.35 B C "Green" Device (Note 3 & 4) C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nomi

7.1. Size:220K diodes
ddta122le.pdf