DDTA122TE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DDTA122TE  📄📄 

Маркировка: P83

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-523

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для DDTA122TE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DDTA122TE даташит

 ..1. Size:220K  diodes
 ddta122te.pdf pdf_icon

DDTA122TE

 6.1. Size:159K  diodes
 ddta122tu.pdf pdf_icon

DDTA122TE

DDTA (LO-R1) U DDTA (LO-R1) U PNP PRE-BIASED 100 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-323 Complementary NPN Types Available (DDTC) Dim Min Max 3 OUT Built-In Biasing Resistors A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B 1.15 1.35 B C "Green" Device (Note 3 & 4) C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nomi

 7.1. Size:220K  diodes
 ddta122le.pdf pdf_icon

DDTA122TE

 7.2. Size:159K  diodes
 ddta122lu.pdf pdf_icon

DDTA122TE

DDTA (LO-R1) U DDTA (LO-R1) U PNP PRE-BIASED 100 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-323 Complementary NPN Types Available (DDTC) Dim Min Max 3 OUT Built-In Biasing Resistors A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B 1.15 1.35 B C "Green" Device (Note 3 & 4) C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nomi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DDTA115GCA, DDTA115GE, DDTA115GUA, DDTA115TCA, DDTA115TKA, DDTA115TUA, DDTA122LE, DDTA122LU, TIP42, DDTA122TU, DDTA123ECA, DDTA123EE, DDTA123EKA, DDTA123EUA, DDTA123JCA, DDTA123JE, DDTA123JKA