DDTB142JC - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор DDTB142JC - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: DDTB142JC
   Маркировка: P76
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-23

Аналоги (замена) для DDTB142JC

DDTB142JC Datasheet (PDF)

..1. Size:243K diodes
ddtb142jc.pdf

DDTB (LO-R1) C PNP PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Epitaxial Planar Die Construction A Complementary NPN Types Available (DDTD) SOT-23 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant TOP VIEW B C"Green" Device (Notes 1 and 3) A 0.37 0.51

6.1. Size:160K diodes
ddtb142ju.pdf

DDTB (LO-R1) UDDTB (LO-R1) U PNP PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A Complementary NPN Types Available (DDTD) SOT-323 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) A 0.25 0.40 "Green" Device (Note 3 & 4) B CB 1.15 1.35 Mechanical Data C 2.00 2.20 Case: SOT-323 D

7.1. Size:243K diodes
ddtb142tc.pdf