DDTC122LE - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор DDTC122LE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: DDTC122LE
   Маркировка: N81
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.022
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-523

Аналоги (замена) для DDTC122LE

DDTC122LE Datasheet (PDF)

..1. Size:217K diodes
ddtc122le.pdf

DDTC (LO-R1) E NPN PRE-BIASED 100 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-523 Complementary PNP Types Available (DDTA) Dim Min Max Typ Built-In Biasing Resistors A 0.15 0.30 0.22 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) TOP VIEW C B 0.75 0.85 0.80B "Green" Device (Note 3 and 4) C 1.45 1.75 1.60D 0.50GMechan

6.1. Size:162K diodes
ddtc122lu.pdf

DDTC (LO-R1) U NPN PRE-BIASED 100 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A Complementary PNP Types Available (DDTA) SOT-323 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) A 0.25 0.40 "Green" Device (Note 3 & 4) B CB 1.15 1.35 Mechanical Data C 2.00 2.20 Case: SOT-323 D 0.65 Nominal

7.1. Size:217K diodes
ddtc122te.pdf