DDTD142JU - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор DDTD142JU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: DDTD142JU
   Маркировка: N76
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-323

Аналоги (замена) для DDTD142JU

DDTD142JU Datasheet (PDF)

..1. Size:163K diodes
ddtd142ju.pdf

DDTD (LO-R1) U NPN PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A Complementary PNP Types Available (DDTB) SOT-323 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) A 0.25 0.40 "Green" Device, Note 3 and 4 B CB 1.15 1.35 Mechanical Data C 2.00 2.20 Case: SOT-323 D 0.65 Nominal

6.1. Size:164K diodes
ddtd142jc.pdf

DDTD (LO-R1) C NPN PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-23 Complementary PNP Types Available (DDTB) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors A 0.37 0.51 Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant TOP VIEW B CB 1.20 1.40 "Green" Device (No

7.1. Size:163K diodes
ddtd142tu.pdf