Биполярный транзистор DMA366A3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DMA366A3
Маркировка: H9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SSSMINI6-F2-B
DMA366A3 Datasheet (PDF)
dma366a3.pdf
DMA366A3Total pages pageTentativeDMA366A3Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsMarking Symbol : H9Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1 R2Collector-emitter vol
dma366a2.pdf
DMA366A2Total pages pageTentativeDMA366A2Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsMarking Symbol : G5Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1 Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1R2Collector-emitter vol
dma366am.pdf
DMA366AMTotal pages pageTentativeDMA366AMSilicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitMarking Symbol : R5Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1 Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1 R2Collector-emitter volta
dma366a5.pdf
DMA366A5Total pages pageTentativeDMA366A5Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsMarking Symbol : L3Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1 Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1Collector-emitter voltage
dma366an.pdf
DMA366ANTotal pages pageTentativeDMA366ANSilicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitMarking Symbol : R8Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1 Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1R2Collector-emitter volt
dma366a1.pdf
DMA366A1Total pages pageTentativeDMA366A1Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitMarking Symbol : F2Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1 Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1 R2Collector-emitter volta
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050