Биполярный транзистор DMA366AM Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DMA366AM
Маркировка: R5
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SSSMINI6-F2-B
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DMA366AM Datasheet (PDF)
dma366am.pdf

DMA366AMTotal pages pageTentativeDMA366AMSilicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitMarking Symbol : R5Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1 Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1 R2Collector-emitter volta
dma366a2.pdf

DMA366A2Total pages pageTentativeDMA366A2Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsMarking Symbol : G5Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1 Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1R2Collector-emitter vol
dma366a5.pdf

DMA366A5Total pages pageTentativeDMA366A5Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsMarking Symbol : L3Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1 Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1Collector-emitter voltage
dma366an.pdf

DMA366ANTotal pages pageTentativeDMA366ANSilicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitMarking Symbol : R8Package Code : SSSMini6-F2-BInternal Connection6 5 4Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR1 Tr 2Parameter Symbol Rating UnitTr 1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VTr1R2Collector-emitter volt
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: RD9FE-V | 3DD13005_B3 | BSW75 | SML5001 | RT1N231U | BC856BMTF
History: RD9FE-V | 3DD13005_B3 | BSW75 | SML5001 | RT1N231U | BC856BMTF



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor