Биполярный транзистор DMC366AM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DMC366AM
Маркировка: R6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SSSMINI6-F2-B
DMC366AM Datasheet (PDF)
dmc366am.pdf
DMC366AMTotal pages pageTentativeDMC366AMSilicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsMarking Symbol : R6Internal Connection6 5 4Package Code : SSSMini6-F2-BR1 Tr 2Tr 1Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR2Parameter Symbol Rating UnitR2Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 V R1Tr1Collector-emitt
dmc366a3.pdf
DMC366A3Total pages pageTentativeDMC366A3Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsMarking Symbol : J0Internal Connection6 5 4Package Code : SSSMini6-F2-BR1 Tr 2Absolute Maximum RatingsTa = 25 C Tr 1R2Parameter Symbol Rating UnitR2Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 VR1Tr1Collector-emitt
dmc366a0.pdf
DMC366A0Total pages pageTentativeDMC366A0Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsMarking Symbol : R0Internal Connection6 5 4Package Code : SSSMini6-F2-BR1 Tr 2Tr 1Absolute Maximum RatingsTa = 25 CParameter Symbol Rating UnitR1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 VTr1Collector-emitter volt
dmc366an.pdf
DMC366ANTotal pages pageTentativeDMC366ANSilicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsMarking Symbol : R9Internal Connection6 5 4Package Code : SSSMini6-F2-BR1 Tr 2Tr 1Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR2Parameter Symbol Rating UnitR2R1Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 VTr1Collector-emit
dmc366a1.pdf
DMC366A1Total pages pageTentativeDMC366A1Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitMarking Symbol : F3Internal Connection6 5 4Package Code : SSSMini6-F2-BR1 Tr 2Tr 1Absolute Maximum RatingsTa = 25 CR2Parameter Symbol Rating UnitR2Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 V R1Tr1Collector-emitte
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: 2N3150
History: 2N3150
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050