Биполярный транзистор DMG56406 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DMG56406
Маркировка: L9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SMINI6-F3-B
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DMG56406 Datasheet (PDF)
dmg56406.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG56406Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsDMG26406 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contri
dmg56405.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG56405Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsDMG26405 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contri
dmg56401.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG56401Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsDMG26401 in SMini6 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini6-F3-B Eco
dmg5640n.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG5640NSilicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component c
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2SC3376 | 2SC2947 | 2SC272 | BC231B | ECG238 | 2SB1109D | 2N3013
History: 2SC3376 | 2SC2947 | 2SC272 | BC231B | ECG238 | 2SB1109D | 2N3013



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503