Справочник транзисторов. DMG56406

 

Биполярный транзистор DMG56406 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DMG56406
   Маркировка: L9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SMINI6-F3-B
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DMG56406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  panasonic
dmg56406.pdfpdf_icon

DMG56406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG56406Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsDMG26406 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contri

 7.1. Size:480K  panasonic
dmg56405.pdfpdf_icon

DMG56406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG56405Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsDMG26405 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contri

 7.2. Size:474K  panasonic
dmg56401.pdfpdf_icon

DMG56406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG56401Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsDMG26401 in SMini6 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini6-F3-B Eco

 7.3. Size:488K  panasonic
dmg5640n.pdfpdf_icon

DMG56406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG5640NSilicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component c

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SC3376 | 2SC2947 | 2SC272 | BC231B | ECG238 | 2SB1109D | 2N3013

 

 
Back to Top

 


 
.