DMG56406 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMG56406

Маркировка: L9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SMINI6-F3-B

 Аналоги (замена) для DMG56406

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMG56406 даташит

 ..1. Size:474K  panasonic
 dmg56406.pdf pdf_icon

DMG56406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG56406 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits DMG26406 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contri

 7.1. Size:480K  panasonic
 dmg56405.pdf pdf_icon

DMG56406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG56405 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits DMG26405 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contri

 7.2. Size:474K  panasonic
 dmg56401.pdf pdf_icon

DMG56406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG56401 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits DMG26401 in SMini6 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini6-F3-B Eco

 7.3. Size:488K  panasonic
 dmg5640n.pdf pdf_icon

DMG56406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG5640N Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DMG563H4, DMG563H5, DMG563HA, DMG56401, DMG56402, DMG56403, DMG56404, DMG56405, 2SA1943, DMG5640M, DMG5640N, DMG564H2, DMG564H3, DMG96301, DMG96302, DMG96303, DMG963H1