DRA3115G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA3115G

Маркировка: LX

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SSSMINI3-F2-B

 Аналоги (замена) для DRA3115G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA3115G даташит

 ..1. Size:416K  panasonic
 dra3115g.pdf pdf_icon

DRA3115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA3115G Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC3115G DRA9115G in SSSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Haloge

 7.1. Size:424K  panasonic
 dra3115e.pdf pdf_icon

DRA3115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA3115E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC3115E DRA9115E in SSSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-

 7.2. Size:422K  panasonic
 dra3115t.pdf pdf_icon

DRA3115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA3115T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC3115T DRA9115T in SSSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSSMini3-F2-B Contributes to miniatu

 8.1. Size:417K  panasonic
 dra3114e.pdf pdf_icon

DRA3115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA3114E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC3114E DRA9114E in SSSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Haloge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DRA2533Q, DRA2543E, DRA2L14Y, DRA3113Z, DRA3114E, DRA3114T, DRA3114Y, DRA3115E, 2SC2240, DRA3115T, DRA3123E, DRA3123J, DRA3123Y, DRA3124E, DRA3124T, DRA3124X, DRA3143E