DRA3124T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA3124T

Маркировка: LH

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SSSMINI3-F2-B

 Аналоги (замена) для DRA3124T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA3124T даташит

 ..1. Size:420K  panasonic
 dra3124t.pdf pdf_icon

DRA3124T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA3124T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC3124T DRA9124T in SSSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSSMini3-F2-B Contributes to miniaturi

 7.1. Size:417K  panasonic
 dra3124e.pdf pdf_icon

DRA3124T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA3124E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC3124E DRA9124E in SSSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-

 7.2. Size:421K  panasonic
 dra3124x.pdf pdf_icon

DRA3124T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA3124X Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC3124X DRA9124X in SSSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSSMini3-F2-B Contributes to miniaturization of sets, reduction o

 8.1. Size:418K  panasonic
 dra3123j.pdf pdf_icon

DRA3124T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA3123J Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC3123J DRA9123J in SSSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Halo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DRA3114Y, DRA3115E, DRA3115G, DRA3115T, DRA3123E, DRA3123J, DRA3123Y, DRA3124E, BC547B, DRA3124X, DRA3143E, DRA3143T, DRA3143X, DRA3143Y, DRA3143Z, DRA3144E, DRA3144T