DRA4114T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA4114T

Маркировка: LD

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: NS-B2-B-B

 Аналоги (замена) для DRA4114T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA4114T даташит

 ..1. Size:220K  panasonic
dra4114t.pdfpdf_icon

DRA4114T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4114T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4114T DRA2114T in NS through hole type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) NS-B2-B-B Contributes to miniat

 7.1. Size:348K  panasonic
dra4114e.pdfpdf_icon

DRA4114T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4114E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4114E DRA2114E in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free

 7.2. Size:223K  panasonic
dra4114y.pdfpdf_icon

DRA4114T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4114Y Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4114Y DRA2114Y in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free

 8.1. Size:224K  panasonic
dra4113z.pdfpdf_icon

DRA4114T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4113Z Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4113Z DRA2113Z in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free

Другие транзисторы: DRA3A24E, DRA3A43E, DRA3A43T, DRA3A43X, DRA3A43Z, DRA3A44E, DRA4113Z, DRA4114E, 2N5401, DRA4114Y, DRA4123J, DRA4123Y, DRA4124E, DRA4124T, DRA4143E, DRA4143T, DRA4143X