DRA4143T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA4143T

Маркировка: LA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: NS-B2-B-B

 Аналоги (замена) для DRA4143T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA4143T даташит

 ..1. Size:221K  panasonic
 dra4143t.pdf pdf_icon

DRA4143T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4143T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4143T DRA2143T in NS through hole type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) NS-B2-B-B Contributes to miniat

 7.1. Size:224K  panasonic
 dra4143z.pdf pdf_icon

DRA4143T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4143Z Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4143Z DRA2143Z in NS through hole type package Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) NS-B2-B-B Contributes to miniaturization of sets, mount ar

 7.2. Size:224K  panasonic
 dra4143x.pdf pdf_icon

DRA4143T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4143X Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4143X DRA2143X in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free p

 7.3. Size:346K  panasonic
 dra4143e.pdf pdf_icon

DRA4143T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4143E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4143E DRA2143E in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DRA4114E, DRA4114T, DRA4114Y, DRA4123J, DRA4123Y, DRA4124E, DRA4124T, DRA4143E, 2SA1943, DRA4143X, DRA4143Z, DRA4144E, DRA4144T, DRA4144V, DRA4144W, DRA4152Z, DRA4514E