Биполярный транзистор DRA4143Z - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DRA4143Z
Маркировка: L8
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: NS-B2-B-B
DRA4143Z Datasheet (PDF)
dra4143z.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4143ZSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC4143ZDRA2143Z in NS through hole type package Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) NS-B2-B-B Contributes to miniaturization of sets, mount ar
dra4143t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4143TSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC4143TDRA2143T in NS through hole type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) NS-B2-B-B Contributes to miniat
dra4143x.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4143XSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC4143XDRA2143X in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free p
dra4143e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4143ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC4143EDRA2143E in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .