DRA4144T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA4144T

Маркировка: LP

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: NS-B2-B-B

 Аналоги (замена) для DRA4144T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA4144T даташит

 ..1. Size:220K  panasonic
 dra4144t.pdf pdf_icon

DRA4144T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4144T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4144T DRA2144T in NS through hole type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) NS-B2-B-B Contributes to miniat

 7.1. Size:190K  panasonic
 dra4144v.pdf pdf_icon

DRA4144T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4144V (Tentative) Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Packaging Package Radial type 5000 pcs / carton Code NS-B1-B Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Pin Name Parameter Symbol Rating Unit 1 Emitter 2 Collector Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 V 3 Base C

 7.2. Size:350K  panasonic
 dra4144e.pdf pdf_icon

DRA4144T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4144E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4144E DRA2144E in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free p

 7.3. Size:223K  panasonic
 dra4144w.pdf pdf_icon

DRA4144T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA4144W Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC4144W DRA2144W in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DRA4123Y, DRA4124E, DRA4124T, DRA4143E, DRA4143T, DRA4143X, DRA4143Z, DRA4144E, BD140, DRA4144V, DRA4144W, DRA4152Z, DRA4514E, DRA4523E, DRA4523Y, DRA4543E, DRA5113Z