Справочник транзисторов. DRA4144T

 

Биполярный транзистор DRA4144T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DRA4144T
   Маркировка: LP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: NS-B2-B-B
 

 Аналог (замена) для DRA4144T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA4144T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  panasonic
dra4144t.pdfpdf_icon

DRA4144T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4144TSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC4144TDRA2144T in NS through hole type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) NS-B2-B-B Contributes to miniat

 7.1. Size:190K  panasonic
dra4144v.pdfpdf_icon

DRA4144T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4144V (Tentative)Silicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuits Packaging PackageRadial type: 5000 pcs / carton Code NS-B1-B Absolute Maximum Ratings Ta = 25C Pin NameParameter Symbol Rating Unit 1: Emitter 2: CollectorCollector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 V 3: BaseC

 7.2. Size:350K  panasonic
dra4144e.pdfpdf_icon

DRA4144T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4144ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC4144EDRA2144E in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free p

 7.3. Size:223K  panasonic
dra4144w.pdfpdf_icon

DRA4144T

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4144WSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC4144WDRA2144W in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free p

Другие транзисторы... DRA4123Y , DRA4124E , DRA4124T , DRA4143E , DRA4143T , DRA4143X , DRA4143Z , DRA4144E , 2SD718 , DRA4144V , DRA4144W , DRA4152Z , DRA4514E , DRA4523E , DRA4523Y , DRA4543E , DRA5113Z .

History: RT1N141M

 

 
Back to Top

 


 
.