Биполярный транзистор DRA4514E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DRA4514E
Маркировка: UZ
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: NS-B1-B
Аналог (замена) для DRA4514E
DRA4514E Datasheet (PDF)
dra4514e.pdf

DRA4514ETotal pages pageTentativeDRA4514ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsMarking Symbol : UZPackage Code : NS-B1-BInternal ConnectionAbsolute Maximum RatingsTa = 25 CR1CParameter Symbol Rating UnitBCollector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VCollector-emitter voltage (Base open) VCEO -50 VCollector current IC -500 mAR2Total power
dra4523y.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA4523YSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC4523YDRA2523Y in NS through hole type package Features Package Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction Code Eco-friendly Halogen-free package NS-B2-BPackage dimension clicks here. Click! Pac
dra4543e.pdf

DRA4543ETotal pages pageTentativeDRA4543ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsMarking Symbol : UYPackage Code : NS-B1-BInternal ConnectionAbsolute Maximum RatingsTa = 25 CR1CParameter Symbol Rating UnitBCollector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VCollector-emitter voltage (Base open) VCEO -50 VCollector current IC -500 mAR2Total power
dra4523e.pdf

DRA4523ETotal pages pageTentativeDRA4523ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsMarking Symbol : SHPackage Code : NS-B1-BInternal ConnectionAbsolute Maximum RatingsTa = 25 CR1CParameter Symbol Rating UnitBCollector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 VCollector-emitter voltage (Base open) VCEO -50 VCollector current IC -500 mAR2Total power
Другие транзисторы... DRA4143T , DRA4143X , DRA4143Z , DRA4144E , DRA4144T , DRA4144V , DRA4144W , DRA4152Z , TIP42C , DRA4523E , DRA4523Y , DRA4543E , DRA5113Z , DRA5114E , DRA5114T , DRA5114Y , DRA5115E .
History: DCX53 | 2SD2678 | KT837D | 2SC1129 | 2SD356 | J589
History: DCX53 | 2SD2678 | KT837D | 2SC1129 | 2SD356 | J589



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20