Справочник транзисторов. DRA5115G

 

Биполярный транзистор DRA5115G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DRA5115G
   Маркировка: LX
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SMINI3-F2-B
 

 Аналог (замена) для DRA5115G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA5115G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  panasonic
 dra5115g.pdf pdf_icon

DRA5115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA5115GSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC5115GDRA2115G in SMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-fr

 7.1. Size:418K  panasonic
 dra5115t.pdf pdf_icon

DRA5115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA5115TSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC5115TDRA2115T in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini3-F2-B Contributes to miniaturizati

 7.2. Size:420K  panasonic
 dra5115e.pdf pdf_icon

DRA5115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA5115ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC5115EDRA2115E in SMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-fr

 8.1. Size:414K  panasonic
 dra5114t.pdf pdf_icon

DRA5115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA5114TSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC5114TDRA2114T in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini3-F2-B Contributes to miniaturizati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... DRA4523E , DRA4523Y , DRA4543E , DRA5113Z , DRA5114E , DRA5114T , DRA5114Y , DRA5115E , S9014 , DRA5115T , DRA5123E , DRA5123J , DRA5123Y , DRA5124E , DRA5124T , DRA5124X , DRA5143E .

History: BDW48 | F115 | AF429 | GA53270 | 2SB764L | FFB3904 | NST3904DP6T5G

 

 
Back to Top

 


 
.