Справочник транзисторов. DRA9115G

 

Биполярный транзистор DRA9115G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DRA9115G
   Маркировка: LX
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SSMINI3-F3-B
 

 Аналог (замена) для DRA9115G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA9115G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  panasonic
dra9115g.pdfpdf_icon

DRA9115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA9115GSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC9115GDRA5115G in SSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Haloge

 7.1. Size:413K  panasonic
dra9115t.pdfpdf_icon

DRA9115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA9115TSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC9115TDRA5115T in SSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini3-F3-B Contributes to miniaturiza

 7.2. Size:416K  panasonic
dra9115e.pdfpdf_icon

DRA9115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA9115ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC9115EDRA5115E in SSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-fr

 8.1. Size:410K  panasonic
dra9114t.pdfpdf_icon

DRA9115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA9114TSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRC9114TDRA5114T in SSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini3-F3-B Contributes to miniaturizati

Другие транзисторы... DRA5A44E , DRA5A44W , DRA5L14Y , DRA9113Z , DRA9114E , DRA9114T , DRA9114Y , DRA9115E , D965 , DRA9115T , DRA9123E , DRA9123J , DRA9123Y , DRA9124E , DRA9124T , DRA9124X , DRA9143E .

History: 2N6600

 

 
Back to Top

 


 
.