DRA9115G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA9115G

Маркировка: LX

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SSMINI3-F3-B

 Аналоги (замена) для DRA9115G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA9115G даташит

 ..1. Size:406K  panasonic
 dra9115g.pdf pdf_icon

DRA9115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA9115G Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC9115G DRA5115G in SSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Haloge

 7.1. Size:413K  panasonic
 dra9115t.pdf pdf_icon

DRA9115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA9115T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC9115T DRA5115T in SSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini3-F3-B Contributes to miniaturiza

 7.2. Size:416K  panasonic
 dra9115e.pdf pdf_icon

DRA9115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA9115E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC9115E DRA5115E in SSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-fr

 8.1. Size:410K  panasonic
 dra9114t.pdf pdf_icon

DRA9115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA9114T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC9114T DRA5114T in SSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini3-F3-B Contributes to miniaturizati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DRA5A44E, DRA5A44W, DRA5L14Y, DRA9113Z, DRA9114E, DRA9114T, DRA9114Y, DRA9115E, NJW0281G, DRA9115T, DRA9123E, DRA9123J, DRA9123Y, DRA9124E, DRA9124T, DRA9124X, DRA9143E