Биполярный транзистор DRC4144W Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DRC4144W
Маркировка: NK
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: NS-B2-B-B
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DRC4144W Datasheet (PDF)
drc4144w.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC4144WSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRA4144WDRC2144W in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free
drc4144t.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC4144TSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRA4144TDRC2144T in NS through hole type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) NS-B2-B-B Contributes to miniat
drc4144e.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC4144ESilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRA4144EDRC2144E in NS through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction NS-B2-B-B Eco-friendly Halogen-free p
drc4144v.pdf

DRC4144VTotal pages pageTentativeDRC4144VSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuitsMarking Symbol : NJPackage Code : NS-B1-B-BAbsolute Maximum RatingsTa = 25 CInternal ConnectionParameter Symbol Rating UnitR1CCollector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 VBVCEO 50 VCollector-emitter voltage (Base open)Collector current IC 100 mAR2Total power
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: HUN5132 | 5302D | GA4F3P
History: HUN5132 | 5302D | GA4F3P



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent