DRC4514E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DRC4514E
Маркировка: V6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: NS-B1-B
Аналоги (замена) для DRC4514E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DRC4514E даташит
drc4514e.pdf
DRC4514E Total pages page Tentative DRC4514E Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Marking Symbol V6 Package Code NS-B1-B Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Internal Connection Parameter Symbol Rating Unit R1 C Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 V B Collector-emitter voltage (Base open) VCEO 50 V Collector current IC 500 mA Total power dissip
drc4523y.pdf
DRC4523Y Total pages page Tentative DRC4523Y Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Marking Symbol TH Package Code NS-B1-B Internal Connection Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C R1 C Parameter Symbol Rating Unit B Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO 50 V Collector current IC 500 mA R2 Total power di
drc4523e.pdf
DRC4523E Total pages page Tentative DRC4523E Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Marking Symbol T1 Package Code NS-B1-B Internal Connection Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C R1 C Parameter Symbol Rating Unit B Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO 50 V Collector current IC 500 mA R2 Total power di
drc4543e.pdf
DRC4543E Total pages page Tentative DRC4543E Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Marking Symbol TK Package Code NS-B1-B Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Internal Connection Parameter Symbol Rating Unit R1 C Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 V B Collector-emitter voltage (Base open) VCEO 50 V Collector current IC 500 mA R2 Total power di
Другие транзисторы: DRC4143E, DRC4143T, DRC4143X, DRC4144E, DRC4144T, DRC4144V, DRC4144W, DRC4152Z, BD222, DRC4523E, DRC4523Y, DRC4543E, DRC5113Z, DRC5114E, DRC5114T, DRC5114W, DRC5114Y
History: 504BSY
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50




