DRC5115G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRC5115G

Маркировка: NX

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SMINI3-F2-B

 Аналоги (замена) для DRC5115G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRC5115G даташит

 ..1. Size:406K  panasonic
 drc5115g.pdf pdf_icon

DRC5115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRC5115G Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRA5115G DRC2115T in SMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-

 7.1. Size:410K  panasonic
 drc5115t.pdf pdf_icon

DRC5115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRC5115T Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRA5115T DRC2115T in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini3-F2-B Contributes to miniaturizati

 7.2. Size:416K  panasonic
 drc5115e.pdf pdf_icon

DRC5115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRC5115E Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRA5115E DRC2115E in SMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-fr

 8.1. Size:411K  panasonic
 drc5114t.pdf pdf_icon

DRC5115G

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRC5114T Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRA5114T DRC2114T in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini3-F2-B Contributes to miniaturizati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DRC4523Y, DRC4543E, DRC5113Z, DRC5114E, DRC5114T, DRC5114W, DRC5114Y, DRC5115E, 2N5401, DRC5115T, DRC5123E, DRC5123J, DRC5124E, DRC5124T, DRC5124X, DRC5143E, DRC5143T