DTA113EM3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA113EM3

Маркировка: 7E

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: SOT?723

 Аналоги (замена) для DTA113EM3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA113EM3 даташит

 ..1. Size:450K  onsemi
mun2130 mmun2130l mun5130 dta113ee dta113em3 nsba113ef3.pdfpdf_icon

DTA113EM3

MUN2130, MMUN2130L, MUN5130, DTA113EE, DTA113EM3, NSBA113EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kW, R2 = 1 kW www.onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT)

 ..2. Size:110K  onsemi
dta113ee dta113eet1g dta113em3 dta113em3t5g.pdfpdf_icon

DTA113EM3

MUN2130, MMUN2130L, MUN5130, DTA113EE, DTA113EM3, NSBA113EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kW, R2 = 1 kW www.onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT)

 0.1. Size:110K  onsemi
nsvdta113em3t5g.pdfpdf_icon

DTA113EM3

MUN2130, MMUN2130L, MUN5130, DTA113EE, DTA113EM3, NSBA113EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kW, R2 = 1 kW www.onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT)

 7.1. Size:113K  philips
pdta113e ser.pdfpdf_icon

DTA113EM3

PDTA113E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 05 2 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP Resistor-Equipped Transistors (RET). Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTA113EE SOT416 SC-75 - PDTC113EE PDTA113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTC113EK PDTA113EM SOT883 SC-101

Другие транзисторы: DTA043XEB, DTA043XM, DTA043XUB, DTA044TEB, DTA044TM, DTA044TUB, DTA113EE, DTA113EET1G, 2N5401, DTA113EM3T5G, DTA113TKA, DTA113ZEFRA, DTA113ZKAFRA, DTA113ZUAFRA, DTA113ZVA, DTA114EA3, DTA114EB3