DTA114EA3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA114EA3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для DTA114EA3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114EA3 даташит

 ..1. Size:149K  cystek
dta114ea3.pdfpdf_icon

DTA114EA3

Spec. No. C252A3 Issued Date 2003.09.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) DTA114EA3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complet

 7.1. Size:58K  motorola
pdta114eu 6.pdfpdf_icon

DTA114EA3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114EU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 7.2. Size:54K  motorola
pdta114eef 2.pdfpdf_icon

DTA114EA3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 7.3. Size:58K  motorola
pdta114es 2.pdfpdf_icon

DTA114EA3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA114ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o

Другие транзисторы: DTA113EET1G, DTA113EM3, DTA113EM3T5G, DTA113TKA, DTA113ZEFRA, DTA113ZKAFRA, DTA113ZUAFRA, DTA113ZVA, 2SA1943, DTA114EB3, DTA114EEFRA, DTA114EET1G, DTA114EKAFRA, DTA114EM3, DTA114EM3T5G, DTA114EMFHA, DTA114EN3